首页> 外文OA文献 >Single quantum dot emission at telecom wavelengths from metamorphic InAs/InGaAs nanostructures grown on GaAs substrates

【2h】

Single quantum dot emission at telecom wavelengths from metamorphic InAs/InGaAs nanostructures grown on GaAs substrates

机译：GaAs衬底上生长的变质InAs / InGaAs纳米结构在电信波长处的单量子点发射

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

3 figuras, 3 páginas.

机译：3位数字，3页。

著录项

作者
Seravalli, Luca; Trevisi, G.; Frigeri, Paola; Rivas, D.; Muñoz-Matutano, G.; Suárez, I.; Alén, Benito; Canet-Ferrer, J.; Martínez-Pastor, Juan;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2011
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Single quantum dot emission at telecom wavelengths from metamorphic InAs/lnGaAs nanostructures grown on GaAs substrates [J] . L. Seravalli, G. Trevisi, P. Frigeri, Applied Physics Letters . 2011,第17期

机译：GaAs衬底上生长的变质InAs / InGaAs纳米结构在电信波长处的单量子点发射
2. Sub-critical InAs layers on metamorphic InGaAs for single quantum dot emission at telecom wavelengths [J] . Luca Seravalli, Giovanna Trevisi, Guillermo Mu?oz-Matutano, Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography . 2014,第8期

机译：用于电信波长下单量子点发射的变质InGaAs上的次临界InAs层
3. Single-photon emission at 1.55 μm from MOVPE-grown InAs quantum dots on InGaAs/GaAs metamorphic buffers [J] . Matthias Paul, Fabian Olbrich, Jonatan Hoschele, Applied Physics Letters . 2017,第3期

机译：在InGaAs / GaAs变质缓冲液上从MOVPE生长的InAs量子点以1.55μm的单光子发射
4. 1.6 mum Emission from InAs Quantum Dots grown on a GaAs Substrate using an AlGaAsSb Metamorphic Buffer [C] . G.Balakrishnan, S.Birudavolu, L.R.Dawson, Materials Research Society Symposium . 2003

机译：1.6使用藻类变质缓冲液在GaAs底物上生长的inaSumporum点的莫马斯峰值
5. Optoelectronic devices based on low threshold strained InGaAs/GaAs quantum well lasers grown on structured substrates [D] . Frateschi, Newton Cesario 1993

机译：基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
6. Single-photon emission from single InGaAs/GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy at high substrate temperature [O] . Mohamed Benyoucef, Verena Zuerbig, Johann Peter Reithmaier, 2012

机译：高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
7. EMISSION AT TELECOM WAVELENGTHS FROM LOW DENSITY QUANTUM DOTS GROWN ON METAMORPHIC InGaAs LAYERS [O] . Trevisi Giovanna, Seravalli Luca, Frigeri Paola 2011

机译：变质InGaAs层上生长的低密度量子点在电信波中的发射

Single quantum dot emission at telecom wavelengths from metamorphic InAs/InGaAs nanostructures grown on GaAs substrates

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅